IXYS - IXFL60N60

KEY Part #: K6404193

IXFL60N60 価格設定(USD) [3859個在庫]

  • 1 pcs$12.40756
  • 25 pcs$12.34583

品番:
IXFL60N60
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFL60N60 electronic components. IXFL60N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFL60N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL60N60 製品の属性

品番 : IXFL60N60
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 700W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOPLUS264™
パッケージ/ケース : ISOPLUS264™

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

  • IPA50R380CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

  • IPA50R190CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.