NGTD17R120F2WP 価格設定（USD） [78128個在庫]
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- 527 pcs$0.43791
- 品番:
- NGTD17R120F2WP
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTD17R120F2WP electronic components. NGTD17R120F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD17R120F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTD17R120F2WP 製品の属性
品番 :
NGTD17R120F2WP
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.8V @ 35A
速度 :
-
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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