ON Semiconductor - EGP10B

KEY Part #: K6455525

EGP10B 価格設定(USD) [1181272個在庫]

  • 1 pcs$0.03262
  • 25,000 pcs$0.03245

品番:
EGP10B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO41. Rectifiers 1A ULTRA FAST T&R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10B 製品の属性

品番 : EGP10B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-41
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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