IXYS - IXFN50N120SIC

KEY Part #: K6396411

IXFN50N120SIC 価格設定(USD) [1520個在庫]

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品番:
IXFN50N120SIC
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN50N120SIC 製品の属性

品番 : IXFN50N120SIC
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 47A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 100nC @ 20V
Vgs(最大) : +20V, -5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1900pF @ 1000V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC