技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
47A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.2V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
100nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1900pF @ 1000V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC