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Microsemi Corporation - JAN1N5190

KEY Part #: K6427982

JAN1N5190 価格設定（USD） [6888個在庫]

  • 1 pcs$6.01295
  • 100 pcs$5.98303
品番:
JAN1N5190
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5190 electronic components. JAN1N5190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5190 製品の属性

品番 : JAN1N5190
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 400ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : Axial
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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