SQJB70EP-T1_GE3 価格設定（USD） [225129個在庫]
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- 品番:
- SQJB70EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_GE3 electronic components. SQJB70EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB70EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJB70EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJB70EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.3A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
95 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
220pF @ 25V
パワー-最大 :
27W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
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