SB2M-M3/5BT 価格設定（USD） [791882個在庫]
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- 品番:
- SB2M-M3/5BT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA. Rectifiers 2A, 1000V, GPP, STD, SM, RECT
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SB2M-M3/5BT electronic components. SB2M-M3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB2M-M3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SB2M-M3/5BT 製品の属性
品番 :
SB2M-M3/5BT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 2A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
16pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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