Rohm Semiconductor - IMH21T110

KEY Part #: K6528887

IMH21T110 価格設定(USD) [537046個在庫]

  • 1 pcs$0.06922
  • 3,000 pcs$0.06887
  • 6,000 pcs$0.06443
  • 15,000 pcs$0.05999
  • 30,000 pcs$0.05925

品番:
IMH21T110
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor IMH21T110 electronic components. IMH21T110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMH21T110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMH21T110 製品の属性

品番 : IMH21T110
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 600mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 20V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 820 @ 50mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 150mV @ 2.5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA (ICBO)
頻度-遷移 : 150MHz
パワー-最大 : 300mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-74, SOT-457
サプライヤーデバイスパッケージ : SMT6

あなたも興味があるかもしれません
  • NSVIMD10AMT1G

    ON Semiconductor

    SURF MT BIASED RES XSTR.

  • IMH20TR1G

    ON Semiconductor

    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R.

  • IMH3AT110

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6.

  • IMD9AT108

    Rohm Semiconductor

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6.

  • IMD6AT108

    Rohm Semiconductor

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6.

  • IMB3AT110

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6.