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- 詳細な説明:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1962FE(TE85L,F) electronic components. RN1962FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1962FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN1962FE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
RN1962FE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
トランジスタータイプ :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
10 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
50 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
250MHz
パワー-最大 :
100mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6
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