Infineon Technologies - IPAW70R950CEXKSA1

KEY Part #: K6419379

IPAW70R950CEXKSA1 価格設定(USD) [108292個在庫]

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品番:
IPAW70R950CEXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAW70R950CEXKSA1 製品の属性

品番 : IPAW70R950CEXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™ CE
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 328pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 68W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-31 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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