IXYX200N65B3 価格設定（USD） [7100個在庫]
- 1 pcs$5.80402
- 品番:
- IXYX200N65B3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- IGBT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXYX200N65B3 electronic components. IXYX200N65B3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXYX200N65B3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXYX200N65B3 製品の属性
品番 :
IXYX200N65B3
メーカー :
IXYS
説明 :
IGBT
シリーズ :
XPT™, GenX3™
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
410A
電流-パルスコレクター（Icm） :
1100A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.7V @ 15V, 100A
パワー-最大 :
1560W
スイッチングエネルギー :
5mJ (on), 4mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
340nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
60ns/370ns
試験条件 :
400V, 100A, 0 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
108ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS247™-3
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