PMXB360ENEAZ 価格設定（USD） [735924個在庫]
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- 品番:
- PMXB360ENEAZ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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PMXB360ENEAZ 製品の属性
品番 :
PMXB360ENEAZ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
130pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1010D-3
パッケージ/ケース :
3-XDFN Exposed Pad
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