Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3007T-N3

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品番:
VS-ETH3007T-N3
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3007T-N3 製品の属性

品番 : VS-ETH3007T-N3
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
シリーズ : FRED Pt®
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.1V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 37ns
電流-Vrでの逆漏れ : 30µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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