NGTD13R120F2WP 価格設定（USD） [94150個在庫]
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- 682 pcs$0.34717
- 品番:
- NGTD13R120F2WP
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTD13R120F2WP electronic components. NGTD13R120F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD13R120F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTD13R120F2WP 製品の属性
品番 :
NGTD13R120F2WP
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
-
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2.6V @ 25A
速度 :
-
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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