Infineon Technologies - F4100R12KS4BOSA1

KEY Part #: K6534291

F4100R12KS4BOSA1 価格設定(USD) [576個在庫]

  • 1 pcs$80.58071

品番:
F4100R12KS4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 100A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F4100R12KS4BOSA1 製品の属性

品番 : F4100R12KS4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 100A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 130A
パワー-最大 : 660W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.75V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 6.8nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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