ES1JL R3G 価格設定（USD） [820434個在庫]
- 1 pcs$0.04508
- 品番:
- ES1JL R3G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL R3G electronic components. ES1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1JL R3G 製品の属性
品番 :
ES1JL R3G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sub SMA
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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