ES1JL R3G 価格設定（USD） [820434個在庫]
- 1 pcs$0.04508
- 品番:
- ES1JL R3G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL R3G electronic components. ES1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1JL R3G 製品の属性
品番 :
ES1JL R3G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sub SMA
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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