ON Semiconductor - ISL9R18120G2

KEY Part #: K6441630

ISL9R18120G2 価格設定(USD) [26720個在庫]

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品番:
ISL9R18120G2
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R18120G2 electronic components. ISL9R18120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R18120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R18120G2 製品の属性

品番 : ISL9R18120G2
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
シリーズ : Stealth™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 18A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.3V @ 18A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 70ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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