ISL9R18120G2 価格設定（USD） [26720個在庫]
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- 品番:
- ISL9R18120G2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor ISL9R18120G2 electronic components. ISL9R18120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R18120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ISL9R18120G2 製品の属性
品番 :
ISL9R18120G2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
シリーズ :
Stealth™
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
18A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.3V @ 18A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
70ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-2
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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