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- 品番:
- SIDC85D170HX1SA2
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SIDC85D170HX1SA2 electronic components. SIDC85D170HX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDC85D170HX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDC85D170HX1SA2 製品の属性
品番 :
SIDC85D170HX1SA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1700V
電流-平均整流（Io） :
150A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.8V @ 150A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
27µA @ 1700V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sawn on foil
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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