Infineon Technologies - IPB64N25S320ATMA1

KEY Part #: K6417117

IPB64N25S320ATMA1 価格設定(USD) [25192個在庫]

  • 1 pcs$1.63595
  • 1,000 pcs$1.50083

品番:
IPB64N25S320ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1 electronic components. IPB64N25S320ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB64N25S320ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB64N25S320ATMA1 製品の属性

品番 : IPB64N25S320ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 64A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 270µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.