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Microsemi Corporation - APT30M85BVRG

KEY Part #: K6396160

APT30M85BVRG 価格設定（USD） [9440個在庫]

  • 1 pcs$4.82654
  • 48 pcs$4.80253
品番:
APT30M85BVRG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT30M85BVRG electronic components. APT30M85BVRG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30M85BVRG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30M85BVRG 製品の属性

品番 : APT30M85BVRG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
シリーズ : POWER MOS V®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 300V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 85 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4950pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
パッケージ/ケース : TO-247-3

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