[1432個在庫]
- 品番:
- 10ETF12S
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 10ETF12S electronic components. 10ETF12S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 10ETF12S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
10ETF12S 製品の属性
品番 :
10ETF12S
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.33V @ 10A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
310ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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