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- 品番:
- PMWD30UN,518
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMWD30UN,518 electronic components. PMWD30UN,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMWD30UN,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMWD30UN,518 製品の属性
品番 :
PMWD30UN,518
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
33 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
28nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1478pF @ 10V
パワー-最大 :
2.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
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