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- 品番:
- SIE854DF-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIE854DF-T1-GE3 electronic components. SIE854DF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE854DF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIE854DF-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIE854DF-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.2 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3100pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5.2W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
10-PolarPAK® (L)
パッケージ/ケース :
10-PolarPAK® (L)
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