TSM9ND50CI 価格設定（USD） [57375個在庫]
- 1 pcs$0.68150
- 品番:
- TSM9ND50CI
- 詳細な説明:
- 500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM9ND50CI electronic components. TSM9ND50CI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM9ND50CI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM9ND50CI 製品の属性
品番 :
TSM9ND50CI
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1116pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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