ON Semiconductor - NGTG15N60S1EG

KEY Part #: K6423204

NGTG15N60S1EG 価格設定(USD) [64054個在庫]

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品番:
NGTG15N60S1EG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTG15N60S1EG 製品の属性

品番 : NGTG15N60S1EG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 30A 117W TO220-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 30A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.7V @ 15V, 15A
パワー-最大 : 117W
スイッチングエネルギー : 550µJ (on), 350µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 88nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 65ns/170ns
試験条件 : 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220