Vishay Semiconductor Diodes Division - SBL1030-E3/45

KEY Part #: K6449879

[590個在庫]


    品番:
    SBL1030-E3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SBL1030-E3/45 electronic components. SBL1030-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBL1030-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBL1030-E3/45 製品の属性

    品番 : SBL1030-E3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
    電流-平均整流(Io) : 10A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 600mV @ 10A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 30V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 125°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RURD4120S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK.

    • FYV0203SMTF

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • MMBD1501

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1502A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 1A SOT23-3.

    • MMBD1702A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 30V SOT23-3.

    • MMBD1701A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 30V 50MA SOT23-3.