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Comchip Technology - HER307GT-G

KEY Part #: K6432107

HER307GT-G 価格設定（USD） [436607個在庫]

  • 1 pcs$0.08940
  • 1,200 pcs$0.08895
品番:
HER307GT-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA. Rectifiers RECT 3A 800V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology HER307GT-G electronic components. HER307GT-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HER307GT-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HER307GT-G 製品の属性

品番 : HER307GT-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 800V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AA, DO-27, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-27
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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