Taiwan Semiconductor Corporation - F1T2GHA0G

KEY Part #: K6430923

F1T2GHA0G 価格設定(USD) [1798488個在庫]

  • 1 pcs$0.02057

品番:
F1T2GHA0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F1T2GHA0G 製品の属性

品番 : F1T2GHA0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : T-18, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : TS-1
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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