VS-4ESH01HM3/87A 価格設定（USD） [392485個在庫]
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- 品番:
- VS-4ESH01HM3/87A
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4ESH01HM3/87A electronic components. VS-4ESH01HM3/87A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-4ESH01HM3/87A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-4ESH01HM3/87A 製品の属性
品番 :
VS-4ESH01HM3/87A
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
930mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 4V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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