IXTN120N25 価格設定（USD） [3500個在庫]
- 1 pcs$13.06054
- 10 pcs$12.99556
- 品番:
- IXTN120N25
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTN120N25 electronic components. IXTN120N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN120N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN120N25 製品の属性
品番 :
IXTN120N25
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
シリーズ :
MegaMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
730W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON4705L
- IPP084N06L3GHKSA1
- IPL60R255P6AUMA1
- GP1M007A065CG
- RJK2508DPK-00#T0
- SUP75N03-04-E3
- IXFX38N80Q2
- AOT12N65
- 2N7002E
- VN2410LZL1G
- IPB16CN10N G
- IRF7805QTRPBF
- NTD4857NT4G
- SI7485DP-T1-E3
- NTD4302
- NTB75N06L
- HUF75343P3
- IXFH40N50Q
- FCA16N60
- NTB13N10T4G
- NTB30N06LT4
- SPA11N60C3IN
- IRFSL59N10D
- IRFBC30AS
- IRFSL4127PBF
- IPB160N08S403ATMA1
- BSC093N15NS5ATMA1
- IPP100N08S207AKSA1
- AUIRF4104
- STP80NF55-08
- TK18E10K3,S1X(S
- SIHP7N60E-E3
- SIR640ADP-T1-GE3
- BSC009NE2LS5IATMA1
- PSMN8R0-80YLX
- IRF7807TRPBF
- BSC060P03NS3EGATMA1
- RSD050N10TL
- SI1078X-T1-GE3
- SSM3J325F,LF