[8368個在庫]
- 品番:
- IRFBL3703
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFBL3703 electronic components. IRFBL3703 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBL3703, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBL3703 製品の属性
品番 :
IRFBL3703
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
260A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
7V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
209nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8250pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SUPER D2-PAK
パッケージ/ケース :
Super D2-Pak
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