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ON Semiconductor - NVMFS5C410NWFAFT3G

KEY Part #: K6418521

NVMFS5C410NWFAFT3G 価格設定（USD） [67325個在庫]

  • 1 pcs$0.58078
  • 5,000 pcs$0.43944
品番:
NVMFS5C410NWFAFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C410NWFAFT3G 製品の属性

品番 : NVMFS5C410NWFAFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 46A (Ta), 300A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 0.92 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6100pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.9W (Ta), 166W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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