JANTX1N6622US 価格設定（USD） [5241個在庫]
- 1 pcs$8.26518
- 品番:
- JANTX1N6622US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 660V 2A D5A. Rectifiers Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622US electronic components. JANTX1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N6622US 製品の属性
品番 :
JANTX1N6622US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/585
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
660V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.4V @ 1.2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 660V
静電容量@ Vr、F :
10pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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