NSB8DT-E3/81 価格設定（USD） [143207個在庫]
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- 品番:
- NSB8DT-E3/81
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8DT-E3/81 electronic components. NSB8DT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8DT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8DT-E3/81 製品の属性
品番 :
NSB8DT-E3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 8A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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