メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
7.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 3.3V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
16nC @ 3.3V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1503pF @ 6V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X3-DSN1010-3