Sanken - SJPB-H4VR

KEY Part #: K6453084

SJPB-H4VR 価格設定(USD) [423172個在庫]

  • 1 pcs$0.09223
  • 1,800 pcs$0.09178
  • 3,600 pcs$0.08368
  • 5,400 pcs$0.07828
  • 12,600 pcs$0.07288

品番:
SJPB-H4VR
メーカー:
Sanken
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SJP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Sanken SJPB-H4VR electronic components. SJPB-H4VR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SJPB-H4VR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SJPB-H4VR 製品の属性

品番 : SJPB-H4VR
メーカー : Sanken
説明 : DIODE SCHOTTKY 40V 2A SJP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 40V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 550mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 40V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 2-SMD, J-Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : SJP
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C
あなたも興味があるかもしれません
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die