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ON Semiconductor - FQP3N60C

KEY Part #: K6416562

FQP3N60C 価格設定（USD） [59189個在庫]

  • 1 pcs$0.50590
  • 10 pcs$0.44695
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  • 500 pcs$0.25914
  • 1,000 pcs$0.20458
品番:
FQP3N60C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQP3N60C electronic components. FQP3N60C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP3N60C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP3N60C 製品の属性

品番 : FQP3N60C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 565pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 75W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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