Vishay Semiconductor Diodes Division - G2SBA80-M3/45

KEY Part #: K6541779

G2SBA80-M3/45 価格設定(USD) [12263個在庫]

  • 4,000 pcs$0.19164

品番:
G2SBA80-M3/45
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G2SBA80-M3/45 electronic components. G2SBA80-M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G2SBA80-M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G2SBA80-M3/45 製品の属性

品番 : G2SBA80-M3/45
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 750mA
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBL
サプライヤーデバイスパッケージ : GBL

あなたも興味があるかもしれません
  • DBA250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

  • DBG250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

  • PBPC1007

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

  • PBPC1001

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.

  • PBPC1002

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1P 100V 8A PBPC-8.

  • GBJ2004-G

    Comchip Technology

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ.