Vishay Semiconductor Diodes Division - 3N257-E4/51

KEY Part #: K6541813

3N257-E4/51 価格設定(USD) [4064個在庫]

  • 1 pcs$0.29267
  • 10 pcs$0.25589
  • 25 pcs$0.24062
  • 100 pcs$0.19633
  • 250 pcs$0.18236
  • 500 pcs$0.15519
  • 1,000 pcs$0.12416

品番:
3N257-E4/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 3N257-E4/51 electronic components. 3N257-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3N257-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

3N257-E4/51 製品の属性

品番 : 3N257-E4/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3.14A
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
動作温度 : -55°C ~ 165°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, KBPM
サプライヤーデバイスパッケージ : KBPM

あなたも興味があるかもしれません
  • E-L6210

    STMicroelectronics

    BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

  • GBPC15005W/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

  • DBA250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

  • DBG250G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

  • PBPC1007

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

  • PBPC1001

    Diodes Incorporated

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.