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Comchip Technology - 1N5406-G

KEY Part #: K6428600

1N5406-G 価格設定（USD） [1221065個在庫]

  • 1 pcs$0.03197
  • 1,200 pcs$0.03181
品番:
1N5406-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=600V, IO=3A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology 1N5406-G electronic components. 1N5406-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5406-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5406-G 製品の属性

品番 : 1N5406-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-27 (DO-201AD)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 125°C

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