ON Semiconductor - NTD60N02R-35G

KEY Part #: K6409096

[7954個在庫]


    品番:
    NTD60N02R-35G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTD60N02R-35G electronic components. NTD60N02R-35G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD60N02R-35G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD60N02R-35G 製品の属性

    品番 : NTD60N02R-35G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.5A (Ta), 32A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.5 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1330pF @ 20V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.25W (Ta), 58W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

    あなたも興味があるかもしれません
    • VP2106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

    • VN2222LLRLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • APT12F60K

      Microsemi Corporation

      MOSFET N-CH 600V 12A TO-220.

    • APT1204R7KFLLG

      Microsemi Corporation

      MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220.

    • APT11N80KC3G

      Microsemi Corporation

      MOSFET N-CH 800V 11A TO-220.

    • APT1003RKLLG

      Microsemi Corporation

      MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220.