IXYS - IXTA460P2

KEY Part #: K6397763

IXTA460P2 価格設定(USD) [24228個在庫]

  • 1 pcs$1.87297
  • 10 pcs$1.67246
  • 100 pcs$1.37141
  • 500 pcs$1.05356
  • 1,000 pcs$0.88855

品番:
IXTA460P2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 24A TO-263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTA460P2 electronic components. IXTA460P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA460P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA460P2 製品の属性

品番 : IXTA460P2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
シリーズ : PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 270 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2890pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 480W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.