GIB1401HE3/81 価格設定（USD） [109766個在庫]
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- 品番:
- GIB1401HE3/81
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 35ns 125 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GIB1401HE3/81 electronic components. GIB1401HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GIB1401HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GIB1401HE3/81 製品の属性
品番 :
GIB1401HE3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
975mV @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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