ON Semiconductor - FGA50T65SHD

KEY Part #: K6423052

FGA50T65SHD 価格設定(USD) [17480個在庫]

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品番:
FGA50T65SHD
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 650V 100A 319W TO-3PN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA50T65SHD 製品の属性

品番 : FGA50T65SHD
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
電流-パルスコレクター(Icm) : 150A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 50A
パワー-最大 : 319W
スイッチングエネルギー : 1.28mJ (on), 384µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 87nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 22.4ns/73.6ns
試験条件 : 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 34.6ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN

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