Toshiba Semiconductor and Storage - RN2905,LF(CT

KEY Part #: K6530320

RN2905,LF(CT 価格設定(USD) [1936260個在庫]

  • 1 pcs$0.01910

品番:
RN2905,LF(CT
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LF(CT electronic components. RN2905,LF(CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2905,LF(CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2905,LF(CT 製品の属性

品番 : RN2905,LF(CT
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : US6

あなたも興味があるかもしれません
  • XP0431100L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6.

  • XP0421100L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6.

  • PMD5003K,115

    NXP USA Inc.

    IC MOSFET DRIVER SC-59A.

  • PMD5002K,115

    NXP USA Inc.

    IC MOSFET DRIVER SC-59A.

  • PMD4003K,115

    NXP USA Inc.

    IC MOSFET DRIVER SC-59A.

  • PMD5001K,115

    NXP USA Inc.

    IC MOSFET DRIVER SC-59A.