GeneSiC Semiconductor - MBRT120150

KEY Part #: K6468901

MBRT120150 価格設定(USD) [1746個在庫]

  • 1 pcs$24.78775
  • 50 pcs$18.86706

品番:
MBRT120150
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Forward
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT120150 electronic components. MBRT120150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT120150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT120150 製品の属性

品番 : MBRT120150
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 60A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 880mV @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 150V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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