APT33GF120B2RDQ2G 価格設定（USD） [4845個在庫]
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- 100 pcs$6.57150
- 250 pcs$5.99167
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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APT33GF120B2RDQ2G 製品の属性
品番 :
APT33GF120B2RDQ2G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
64A
電流-パルスコレクター（Icm） :
75A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3V @ 15V, 25A
パワー-最大 :
357W
スイッチングエネルギー :
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
170nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
14ns/185ns
試験条件 :
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
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