HGTG18N120BND 価格設定（USD） [14083個在庫]
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- 品番:
- HGTG18N120BND
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 54A 390W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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HGTG18N120BND 製品の属性
品番 :
HGTG18N120BND
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 54A 390W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
54A
電流-パルスコレクター（Icm） :
160A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 18A
パワー-最大 :
390W
スイッチングエネルギー :
1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
165nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
23ns/170ns
試験条件 :
960V, 18A, 3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
75ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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