[478個在庫]
- 品番:
- IXFN38N100Q2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN38N100Q2 electronic components. IXFN38N100Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN38N100Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN38N100Q2 製品の属性
品番 :
IXFN38N100Q2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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