CMH07(TE12L,Q,M) 価格設定（USD） [494560個在庫]
- 1 pcs$0.07479
- 品番:
- CMH07(TE12L,Q,M)
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT. Rectifiers Switching Diode HED 2A 200V 35ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH07(TE12L,Q,M) electronic components. CMH07(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH07(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH07(TE12L,Q,M) 製品の属性
品番 :
CMH07(TE12L,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
100ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ :
M-FLAT (2.4x3.8)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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